三菱MITSUBISHI模塊現(xiàn)貨供應(yīng)一件可發(fā)，絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）...
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三菱MITSUBISHI模塊現(xiàn)貨供應(yīng)一件可發(fā)，絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）...
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晶體閘流管（Thyristor）又稱作可控硅整流器，曾被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽極，陰極和門極...
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晶閘管模塊又稱可控硅模塊，必須配觸發(fā)電路和保護(hù)電路使用，一般用開關(guān)場(chǎng)合配過零觸發(fā)電路。在調(diào)節(jié)負(fù)載功率大小時(shí)配移相觸發(fā)電路來控制可控硅導(dǎo)通角大小改變負(fù)載大小，整流管模塊一般用整流，續(xù)流電路中。全新現(xiàn)貨日...
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晶體閘流管（Thyristor）又稱作可控硅整流器，曾被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽極，陰極和門極...
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整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽?dǎo)體器件。二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴Ｔ陔娐分校娏髦荒軓亩O管的正極流入，負(fù)極流出。通常它包含一個(gè)PN結(jié)，有正極和...
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肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用...
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肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用...
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熔斷器（fuse）是指當(dāng)電流超過規(guī)定值時(shí)，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時(shí)間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運(yùn)用這種原理制成的一種電流...
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肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用...
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MOS晶體管模塊GENESIC現(xiàn)貨供應(yīng)，MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-...
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